Yangtze Memory asciende al tercer lugar a nivel mundial en el mercado de memorias flash NAND
El informe de Counterpoint Research sobre el mercado del almacenamiento del segundo trimestre de 2026 muestra que Yangtze Memory alcanzó una participación global de 14% en los envíos de bits de memoria flash NAND, ocupando el tercer lugar a nivel mundial, solo por detrás de Samsung y SK Hynix.
El estado del proceso de asesoramiento para la oferta pública inicial (OPI) del gigante nacional del almacenamiento pasó a “aceptación del asesoramiento” a mediados de agosto de 2026. Con el continuo aumento de la capacidad de la planta de producción Fab3, los analistas de mercado prevén que su participación global seguirá creciendo en 2027.
El consumo de almacenamiento impulsado por la IA ofrece un margen de crecimiento a largo plazo para los chips NAND. La enorme necesidad de almacenamiento de datos que generan los grandes modelos de IA sigue impulsando la demanda de memoria flash de alta densidad. Las instituciones del sector pronostican que el mercado de NAND seguirá prosperando hasta 2028, momento en el que podrían comenzar a surgir presiones sobre los precios. Los compradores globales prestan mayor atención a las estrategias de abastecimiento de múltiples fuentes para los componentes de almacenamiento flash.
