Yangtze Memory Naik ke Peringkat Ketiga Dunia di Pasar NAND Flash

Laporan pasar penyimpanan kuartal kedua tahun 2026 dari Counterpoint Research menunjukkan bahwa Yangtze Memory berhasil meraih pangsa pengiriman bit NAND flash global sebesar 14%, menempati peringkat ketiga di dunia, hanya di bawah Samsung dan SK Hynix.

Status konsultasi penawaran umum perdana (IPO) raksasa penyimpanan dalam negeri berubah menjadi “konsultasi diterima” pada pertengahan Agustus 2026. Seiring dengan peningkatan kapasitas yang berkelanjutan di fasilitas produksi Fab3, para peneliti pasar memperkirakan pangsa pasar globalnya akan terus meningkat pada tahun 2027.

Konsumsi penyimpanan yang didorong oleh AI membuka ruang pertumbuhan jangka panjang bagi chip NAND. Kebutuhan penyimpanan data yang sangat besar dari model AI berskala besar terus mendorong permintaan akan memori flash berdensitas tinggi. Lembaga-lembaga industri memperkirakan pasar NAND akan tetap berkembang hingga tahun 2028, saat tekanan harga mungkin mulai muncul secara bertahap. Pembeli global semakin memperhatikan strategi pengadaan dari berbagai sumber untuk komponen penyimpanan flash.

Baru MAX16602 & MAX20790: Maxim New AI‑Processor Multi‑Phase Power‑Supply Chipset
Kembali ke daftar
Lebih tua Super-Cycle Chip Memori: Samsung & SK Hynix Meningkatkan Belanja Modal Secara Signifikan

Posting Terkait

Super-Cycle Chip Memori: Samsung & SK Hynix Meningkatkan Belanja Modal Secara Signifikan

Menurut statistik industri terbaru yang dirilis pada Agustus 2026, Samsung Electronics dan SK Hynix meningkatkan investasi di bidang semikonduktor secara signifikan selama paruh pertama tahun ini. Total belanja modal kedua perusahaan mencapai 43,2 triliun KRW, meningkat sebesar 35,1% dibandingkan tahun lalu. Kedua perusahaan tersebut mengoperasikan pabrik memori dengan tingkat utilisasi kapasitas hampir 100%.

Didorong oleh server berbasis model AI berskala besar, HBM, dan NAND flash berkapasitas tinggi, permintaan pasar tetap kuat. Chip memori memasuki siklus super di mana volume dan harga terus meningkat. Para analis pasar menyoroti bahwa semikonduktor memori secara bertahap bertransformasi dari produk siklikal tradisional menjadi komponen infrastruktur AI.

Sisi pasokan: Pengembangan DRAM 1D generasi baru dan V-NAND dengan lebih dari 400 lapisan terus berlanjut. Samsung menargetkan penyelesaian pengembangan DRAM generasi 1D pada September 2026. Pengiriman uji coba 4D NAND 375-lapis dari SK Hynix akan dimulai untuk pelanggan cloud utama pada Agustus ini. Pembeli perlu memantau perubahan waktu tunggu untuk komponen memori berbandwidth tinggi.