Especificaciones
Se trata de un chip integrado de dos MOSFET de potencia de canal N tipo «trench» fabricado por Vishay Siliconix, que integra dos transistores de efecto de campo de potencia de tipo N independientes dentro de un solo paquete, y que se caracteriza por su baja resistencia en estado activo y su excelente rendimiento en la disipación de calor, lo que lo hace ideal para circuitos de conversión de potencia con conmutación de alta eficiencia y de control de carga.
Definición del número de pieza
SI7252DP se refiere a un modelo de núcleo MOSFET de doble canal de tipo N con empaque PowerPAK SO-8. T1 significa empaque en cinta y carrete para la alimentación automática en la producción de SMT. GE3 representa la versión libre de plomo que cumple con las normas ambientales y con las especificaciones industriales estándar.
Especificaciones eléctricas básicas
El dispositivo contiene dos unidades MOSFET de canal N completamente independientes, cada una con una tensión de resistencia entre drenaje y fuente de hasta 100 V. La corriente de drenaje continua de un solo tubo alcanza los 36,7 A, con una corriente de pico de 80 A. Bajo una tensión de excitación de puerta de 10 V y una corriente de operación de 15 A, la resistencia máxima en estado activo es de 18 mΩ, lo que reduce eficazmente las pérdidas por conducción y el calentamiento durante el funcionamiento prolongado. La carga total de la puerta es de 27 nC, la capacitancia de entrada de 1170 pF, lo que permite una frecuencia de conmutación rápida de hasta varios cientos de kilohercios sin pérdidas de conmutación evidentes. El rango de tolerancia de voltaje puerta-fuente es de ±20 V, el voltaje umbral máximo es de 3,5 V, y es compatible con la lógica digital convencional y las señales de control PWM. La disipación máxima de potencia por chip es de 46 W; el rango de temperatura de unión en funcionamiento va de -55 ℃ a 150 ℃; y cuenta con una estructura integrada de resistencia a la energía de avalancha para mejorar la capacidad del circuito frente a picos de tensión.
Requisitos de empaque y ensamblaje
Adopta el paquete de montaje en superficie PowerPAK SO-8 sin cables con almohadilla expuesta; la amplia almohadilla de cobre en la parte inferior proporciona una excelente vía de conducción térmica para reducir el aumento de la temperatura de unión durante el funcionamiento a alta potencia. Pertenece a la categoría de dispositivos sensibles a la humedad (MSL3); los procedimientos de soldadura por reflujo deben completarse dentro de las 168 horas posteriores a la apertura del empaque original al vacío. Se utiliza un empaque estándar en carrete para adaptarse a los equipos de colocación automática en las líneas de producción.
Normas ambientales y de cumplimiento
El producto se fabrica mediante un proceso de producción libre de plomo y halógenos, cumpliendo con las principales normas internacionales de restricción en materia de protección ambiental. Su diseño compacto integrado de doble tubo simplifica el diseño de la placa de circuito impreso (PCB), reduce el número de dispositivos periféricos y la inductancia parásita del diseño en comparación con el uso de dos MOSFET discretos por separado, lo que ayuda a mejorar la estabilidad de la fuente de alimentación y la eficiencia de conversión.
Campos de aplicación típicos
Módulos de fuente de alimentación buck multifásicos en placas base de servidores y placas madre de control industrial; circuitos de rectificación síncrona CC-CC de módulos de alimentación de equipos de comunicación y placas de alimentación de conmutadores de red; interruptor de carga de alta corriente y circuito de protección contra la descarga de baterías para equipos de almacenamiento de energía; circuito de inversor pequeño y unidad de control de accionamiento de motor de baja potencia; tubo de conmutación del lado primario de una fuente de alimentación conmutada industrial y circuito de conversión reductora de alta tensión
LXB Semicon suministra el MOSFET de potencia dual de canal N original Vishay SI7252DP-T1-GE3
