Thông số kỹ thuật
Đây là chip tích hợp MOSFET công suất rãnh kép kênh N do Vishay Siliconix sản xuất, tích hợp hai bóng bán dẫn hiệu ứng trường công suất loại N độc lập trong cùng một vỏ bọc, có điện trở dẫn thấp và hiệu suất tản nhiệt xuất sắc, phù hợp cho các mạch chuyển đổi nguồn công suất chuyển mạch hiệu suất cao và các mạch điều khiển tải.
Định nghĩa mã sản phẩm
SI7252DP là viết tắt của mẫu MOSFET kênh N hai kênh với vỏ PowerPAK SO-8. T1 có nghĩa là dạng đóng gói cuộn băng (tape-and-reel) dành cho quá trình cấp liệu tự động trong sản xuất SMT. GE3 đại diện cho phiên bản không chứa chì, tuân thủ các tiêu chuẩn môi trường và đáp ứng các thông số kỹ thuật công nghiệp tiêu chuẩn.
Thông số kỹ thuật điện chính
Thiết bị này bao gồm hai mô-đun MOSFET kênh N hoàn toàn độc lập, mỗi mô-đun có điện áp chịu đựng giữa cực thoát và cực nguồn lên đến 100V. Dòng điện cống liên tục của một ống đạt 36,7A, dòng điện đột biến đỉnh 80A. Trong điều kiện điện áp điều khiển cổng 10V và dòng điện hoạt động 15A, điện trở dẫn tối đa là 18mΩ, giúp giảm hiệu quả tổn thất dẫn điện và sinh nhiệt trong quá trình hoạt động lâu dài. Tổng điện tích cổng là 27nC, điện dung đầu vào 1170pF, hỗ trợ tần số chuyển mạch nhanh lên đến vài trăm kilohertz mà không có tổn thất chuyển mạch đáng kể. Dải dung sai điện áp cổng-nguồn là ±20V, điện áp ngưỡng tối đa 3,5V, tương thích với logic số thông thường và tín hiệu điều khiển PWM. Công suất tiêu tán tối đa trên một chip là 46W, dải nhiệt độ hoạt động tại điểm nối từ -55℃ đến 150℃, tích hợp cấu trúc chống năng lượng tuyết lở để cải thiện khả năng chống sốc điện của mạch.
Yêu cầu về đóng gói và lắp ráp
Sản phẩm sử dụng vỏ đóng gói hàn bề mặt PowerPAK SO-8 không chân với miếng đồng tiếp xúc lộ ra bên ngoài; miếng đồng lớn ở đáy cung cấp đường dẫn truyền nhiệt tuyệt vời, giúp giảm sự gia tăng nhiệt độ điểm nối trong điều kiện hoạt động công suất cao. Sản phẩm thuộc loại thiết bị nhạy cảm với độ ẩm (MSL3), quy trình hàn nóng chảy phải được hoàn tất trong vòng 168 giờ sau khi mở bao bì chân không gốc. Sản phẩm được đóng gói theo tiêu chuẩn dạng cuộn để tương thích với thiết bị đặt linh kiện tự động trên dây chuyền sản xuất.
Tiêu chuẩn về môi trường và tuân thủ
Sản phẩm áp dụng quy trình sản xuất không chứa chì và không chứa halogen, đáp ứng các tiêu chuẩn hạn chế về bảo vệ môi trường chủ đạo trên thế giới. Thiết kế đóng gói tích hợp hai ống nhỏ gọn giúp đơn giản hóa bố trí mạch in (PCB), giảm số lượng thiết bị ngoại vi và điện cảm ký sinh trong bố trí so với việc sử dụng riêng rẽ hai MOSFET rời rạc, từ đó góp phần nâng cao độ ổn định của nguồn điện và hiệu suất chuyển đổi.
Các lĩnh vực ứng dụng điển hình
Các mô-đun nguồn buck đa pha trên bo mạch chủ máy chủ và bo mạch chủ điều khiển công nghiệp; các mạch chỉnh lưu đồng bộ DC-DC của các mô-đun nguồn thiết bị truyền thông và bo mạch nguồn bộ chuyển mạch mạng; công tắc tải dòng điện cao và mạch bảo vệ xả pin cho thiết bị lưu trữ năng lượng; mạch biến tần nhỏ và bộ điều khiển động cơ công suất thấp; ống chuyển mạch phía sơ cấp của nguồn điện chuyển mạch công nghiệp và mạch chuyển đổi hạ áp cao áp
LXB Semicon cung cấp MOSFET công suất kênh N kép Vishay SI7252DP-T1-GE3 chính hãng
