Micron-Technologie-Lösungen von LXB Semicon
Hochzuverlässige DRAM- und Flash-Speicher für Industrie-, Automobil- und Rechenzentrumsanwendungen
| Herstellerteil | Datenblatt | Hersteller | Speicher Typ / Funktion | Dichte/Organisation | Schnittstelle | Versorgungsspannung | Gehäuse / Pins | Temperaturbereich |
| MT29F8G08ABACAWP-IT |  |
MICRON | SLC-NAND-Flash | 8 Gbit (1G × 8) | Parallel asynchron | 2.7 - 3.6 V | TSOP-I, 48-polig | -40 °C bis +85 °C |
| MT41K256M16HA-125 | |
MICRON | DDR3 SDRAM | 4 Gbit (256M × 16) | DDR3 SDRAM | ~1,35 V nominal (DDR3L) | 96-Kugel FBGA | 0 °C bis +95 °C (typisch) |
| N25Q128A13EF840E | MICRON | NOR-Flash (SPI) | 128 Mb (16M × 8) | SPI (bis zu ~108 MHz) | 2.7 - 3.6 V | PDFN-8 / VDFN-8 | -40 °C bis +85 °C | |
| MT25QL128ABA1EW9‑0SIT | |
MICRON | Serieller NOR-Flash (Quad-SPI) | 128 Mbit (32M × 8) | SPI / QSPI | 2.7 - 3.6 V | WPDFN-8 | -40 °C bis +85 °C |
| MT45W8MW16BGX-856IT | MICRON | (Speichergerät mit hoher Dichte) | — | — | — | — | — | |
| MT48LC16M16A2P-6A | |
MICRON | SDRAM | 16 Mbit x 16 (256 Mbit) | SDRAM | 3.3 V | TSOP | – |
| MT47H32M16NF-25E-AAT | |
MICRON | DRAM (DDR SDRAM) | 32 Mbit x16 (512 Mbit) | DDR-SDRAM | 2.5 V | BGA | – |
| MT25QL256ABA1EW9‑0SIT | |
MICRON | Serieller NOR-Flash (Quad-SPI) | 256 Mbit (32M × 8) | SPI / QSPI | 2.7 - 3.6 V | WPDFN-8 | -40 °C bis +85 °C |