High-End VISHAY-Lösungen
LXB Semicon liefert hochwertige VISHAY-Widerstände, Kondensatoren, Leistungshalbleiter und Sensoren in Industrie- und Automobilqualität mit professionellem Vertrieb, garantierter Qualität und zuverlässiger globaler Versorgung für Ingenieure und Beschaffungsteams.
| Herstellerteil | Datenblatt | Hersteller | Gerätetyp | Hauptfunktion | Nennspannung | Aktuelle Bewertung | Wichtige elektrische Eigenschaften | Paket | Betriebstemperatur |
| SIC463ED-T1-GE3 |  |
VISHAY | Synchroner Abwärtswandler | Hocheffizienter DC-DC-Abwärtsregler | Eingang: 4,5 V - 60 VAusgang: 0,8 V - 55 V (einstellbar) | Ausgang: bis zu 4 A | Integrierte High-Side- und Low-Side-MOSFETs, programmierbare Schaltfrequenz (100 kHz-2 MHz), OCP/OVP/UVP-Schutz | PowerPAK® MLP55-27 | -40 °C bis +125 °C |
| SI7145DP-T1-GE3 | |
VISHAY | P-Kanal-MOSFET | Leistungsschaltung / Laststeuerung | VDS: -30 V | ID: -60 A | Ultra-niedriger RDS(on) ≈ 2,6 mΩ @ VGS=-10 V, TrenchFET®-Technologie, schnelles Schalten | PowerPAK® SO-8 | -55 °C bis +150 °C |
| SI7619DN-T1-GE3 | |
VISHAY | P-Kanal-MOSFET | Energiemanagement / High-Side-Schalter | VDS: -30 V | ID: -24 A | Niedriger RDS(on) ≈ 21 mΩ max, Logic-Level-Gate, optimiert für Effizienz | PowerPAK® 1212-8 | -55 °C bis +150 °C |
| SI7252DP-T1-GE3 | |
VISHAY | Zweifach-N-Kanal-MOSFET | Leistungsschaltung / Synchrongleichrichtung | VDS: 100 V | ID: 36,7 A (pro Kanal) | Dual-MOSFET in einem Gehäuse, niedriger RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS=10 V, geringe Gate-Ladung | PowerPAK® SO-8 Dual | -55 °C bis +150 °C |
| VO1400AEFTR | |
VISHAY | Halbleiterrelais (SSR) | Signaltrennung und Schaltung | Lastspannung: 0 - 60 V | Laststrom: 100 mA | MOSFET-Ausgang, niedriger Durchlasswiderstand (≤5 Ω), optische Isolierung, geringer Leckstrom | SOP-4 | -40 °C bis +85 °C |
| DG409DQ-T1-E3 | |
VISHAY | Analoger Multiplexer | Signalrouting / Kanalauswahl | Versorgung: 5 V - 36 V | — | Dualer analoger 4:1-Differenzmultiplexer, niedriger ON-Widerstand (~100 Ω), geringer Stromverbrauch | TSSOP-16 | -40 °C bis +85 °C |