Especificaciones
El K4B4G1646E-BYMA es un chip de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) síncrona DDR3L de bajo voltaje fabricado por Samsung Semiconductor, diseñado para sistemas de control principal integrados, equipos de codificación de video y dispositivos inteligentes de consumo, con el fin de proporcionar una memoria de funcionamiento estable para el sistema, con bajo consumo de energía y un alto ancho de banda de transmisión.
Definición del número de pieza
K4 representa el código de producto de la serie DRAM de Samsung. La letra B indica la arquitectura de memoria de la generación DDR3. 4G se refiere a una densidad de almacenamiento total de 4 Gb. El número 16 indica un ancho de bits de datos de 16 bits. 46E es la revisión del chip y la versión de configuración del consumo de energía. BYMA define una velocidad de datos de 1866 MT/s, especificaciones de temperatura comercial y un formato de empaque FBGA estándar. La configuración predeterminada de fábrica utiliza empaque tipo cinta y carrete para permitir el montaje SMT automático en placas de circuito impreso (PCB).
Arquitectura de la memoria central y parámetros de rendimiento
La capacidad total de almacenamiento es de 4 Gb, organizada en 256 M de palabras × 16 bits con 8 grupos de bancos internos independientes, y adopta un mecanismo de transmisión DDR3 con precarga de 8 bits. La velocidad máxima de transferencia de datos alcanza los 1866 MT/s por pin, con una frecuencia de reloj de referencia de 933 MHz. Admite latencia de escritura CAS programable, longitud de ráfaga de 4 y 8, y señal de strobe de datos DQS bidireccional diferencial para mejorar la capacidad de resistencia a las interferencias de la señal durante la transmisión de alta velocidad. La calibración automática de impedancia del pin ZQ integrada y la función de terminación en chip (ODT) reducen la reflexión de la señal y mejoran la integridad de la transmisión. El ciclo de actualización estándar es de 7,8 μs a temperatura normal de funcionamiento para garantizar la precisión en la retención de datos.
Fuente de alimentación y diseño de bajo consumo
Admite un modo de funcionamiento de doble voltaje, con una fuente de alimentación principal y un voltaje de E/S nativos de DDR3L a 1,35 V, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente un 20% en comparación con la especificación estándar de DDR3 a 1,5 V, y es totalmente compatible con versiones anteriores de los circuitos de raíl de alimentación de 1,5 V. Se han integrado múltiples modos de ahorro de energía, incluyendo autorrefresco, apagado y apagado profundo, para reducir considerablemente el consumo de energía cuando no se accede con frecuencia al chip, lo que lo adapta perfectamente a los dispositivos portátiles que funcionan con batería.
Especificaciones mecánicas y del empaque
El tipo de empaque es un empaque FBGA (matriz de bolas de paso fino) de 96 bolas, con dimensiones totales de 13,3 mm × 7,5 mm. El nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) es MSL 3, y la soldadura por reflujo debe completarse dentro de las 168 horas posteriores a la apertura del empaque al vacío a prueba de humedad. Se adopta un proceso estándar libre de plomo y halógenos con una soldabilidad estable, adecuado para la producción en serie.
Normas ambientales y de cumplimiento
El rango de temperatura de funcionamiento de grado comercial es de 0 ℃ a +85 ℃, lo que lo hace apto para equipos electrónicos de consumo y sistemas integrados convencionales de uso interno. El chip cumple con las normativas de protección ambiental RoHS y REACH, y no contiene sustancias peligrosas restringidas. Su diseño optimizado y su configuración de compatibilidad electromagnética (EMC) minimizan las interferencias electromagnéticas, lo que garantiza un funcionamiento estable incluso en condiciones de trabajo de circuitos complejos.
Campos de aplicación típicos
Cámaras IP, servidores de grabación de video NVR y placas base de codificación de video de la serie HiSilicon que ejecutan decodificadores Android con memoria, placas de control principales para televisores inteligentes y memoria del sistema para reproductores multimedia en red; memoria de caché para paneles táctiles industriales, placas de desarrollo integradas y pequeñas unidades de control PLC; memoria principal para tabletas, terminales portátiles y puertas de enlace de IoT de bajo consumo; y memoria de búfer de datos para sistemas multimedia instalados en vehículos, controladores principales de control de acceso y terminales de punto de venta (POS).
LXB Semicon suministra circuitos integrados de memoria SDRAM DDR3L originales de Samsung modelo K4B4G1646E-BYMA
