Erweiterte ISSI-Speicherkomponenten
DRAM und SRAM in Industrie- und Automobilqualität mit langfristiger Verfügbarkeit und stabiler Versorgung
| wdt_ID | wdt_erstellt_von | wdt_erstellt_am | wdt_last_edited_by | wdt_letzte_Bearbeitung_am | Herstellerteil | Datenblatt | Hersteller | Speicher Typ | Dichte/Organisation | Schnittstelle | Zugang/Geschwindigkeit | Spannung (Vcc) | Betriebstemperatur | Gehäuse / Pins | Anmerkungen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 744 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS42S16320F-6BLI | ISSI (Integrierte Silizium-Lösung, Inc.) | SDRAM (Synchroner DRAM) | 512 Mbit (32 M × 16) | Paralleles SDR | 166 MHz (≈5,4 ns Zugriff) | 3.0 - 3.6 V | -40 °C bis +85 °C | 54-Kugel BGA-54 (8×13 mm) | Hochgeschwindigkeits-SDRAM, Burst-Modus, Auto-/Self-Refresh-Unterstützung | |
| 745 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI (Integrierte Silizium-Lösung, Inc.) | Asynchrones SRAM | 8 Mbit (512 K × 16) | Parallel | 10 ns Zugriff | 2.4 - 3.6 V | -40 °C bis +85 °C | TSOP-44 (44 Stifte) | Vollständig statisches SRAM, CE/OE-Schnittstelle, TTL-kompatibel | |
| Datenblatt | Hersteller | Speicher Typ | Dichte/Organisation | Schnittstelle | Zugang/Geschwindigkeit | Spannung (Vcc) | Betriebstemperatur | Gehäuse / Pins | Anmerkungen |