Samsung anuncia un aumento de los precios de la DRAM en el tercer trimestre de hasta 20%; la capacidad de producción con el proceso avanzado de 4 nm está totalmente agotada para 2026; y la escasez de chips de almacenamiento continúa
Samsung Electronics notificó oficialmente a sus clientes del sector de almacenamiento que aumentará el precio de los productos DRAM de uso general hasta un 20% en el tercer trimestre de 2026, con un incremento aún mayor para los chips de memoria móvil LPDDR. Mientras tanto, la capacidad de la fundición de obleas avanzadas de 4 nm de Samsung para todo el año 2026 ya se ha reservado por completo, y los nuevos pedidos solo pueden programarse para 2027, con la capacidad de producción asignada preferentemente a los clientes de GPU de IA y chips aceleradores de IA.
Gracias al crecimiento explosivo de los centros de datos de IA a nivel mundial, la demanda de DRAM para servidores, memoria HBM de alto ancho de banda y memoria NOR Flash para el almacenamiento de firmware ha seguido disparándose. SK Hynix y Micron también siguen los pasos de Samsung y ajustan al alza los precios de los productos de almacenamiento, mientras que el plazo de entrega de la memoria NAND SLC de grado industrial y la memoria Flash NOR para vehículos se ha extendido a entre 18 y 32 semanas. Los distribuidores extranjeros acaparan lotes de productos de almacenamiento clave en el mercado al contado, lo que provoca frecuentes fluctuaciones de precios en el mercado abierto.
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