“Siêu chu kỳ” chip nhớ: Samsung và SK Hynix tăng mạnh chi tiêu vốn

Theo số liệu thống kê mới nhất của ngành được công bố vào tháng 8 năm 2026, Samsung Electronics và SK Hynix đã tăng mạnh đầu tư vào lĩnh vực bán dẫn trong nửa đầu năm nay. Tổng chi phí đầu tư đạt 43,2 nghìn tỷ KRW, tăng 35,1% so với năm ngoái. Cả hai nhà sản xuất này đều vận hành các nhà máy sản xuất bộ nhớ với tỷ lệ sử dụng công suất gần 100%.

Được thúc đẩy bởi các máy chủ chạy mô hình AI quy mô lớn, HBM và bộ nhớ flash NAND dung lượng cao vẫn duy trì nhu cầu thị trường mạnh mẽ. Chip bộ nhớ đang bước vào “siêu chu kỳ” với cả sản lượng và giá cả đều tăng. Các nhà phân tích thị trường chỉ ra rằng bán dẫn bộ nhớ đang dần chuyển đổi từ sản phẩm mang tính chu kỳ truyền thống sang thành phần cơ sở hạ tầng AI.

Phía cung ứng: Việc phát triển DRAM 1D thế hệ mới và V-NAND hơn 400 lớp đang được đẩy mạnh. Samsung đặt mục tiêu hoàn tất việc phát triển DRAM thế hệ 1D vào tháng 9 năm 2026. Việc giao hàng thử nghiệm sản phẩm 4D NAND 375 lớp của SK Hynix sẽ bắt đầu cho các khách hàng đám mây lớn vào tháng 8 năm nay. Người mua cần theo dõi những thay đổi về thời gian giao hàng đối với các linh kiện bộ nhớ băng thông cao.