SI7619DN-T1-GE3

ОТПРАВИТЬ НАМ СООБЩЕНИЕ

    Технические характеристики

    Это одноканальный P-канальный траншевый силовой MOSFET производства компании Vishay Siliconix, выполненный в компактном безвыводном корпусе PowerPAK 1212-8 и отличающийся сверхнизким сопротивлением в включенном состоянии. Он предназначен для управления питанием от аккумуляторов, переключения нагрузок и понижающих схем низковольтных источников питания.

    Определение номера детали

    SI7619DN представляет собой модель с одним P-канальным MOSFET-ядром в корпусе PowerPAK 1212-8. Обозначение T1 означает упаковку в катушку для автоматической подачи при поверхностном монтаже (SMT). Обозначение GE3 указывает на версию промышленного класса, соответствующую требованиям по отсутствию свинца и галогенов.

    Основные технические характеристики электрооборудования

    Напряжение пробоя «сток-исток» достигает 30 В, а непрерывный ток стока — до 24 А при надлежащем отводе тепла. При напряжении управления затвором 10 В максимальное сопротивление в открытом состоянии составляет 21 мОм; при управлении с логическим уровнем 4,5 В максимальное сопротивление в открытом состоянии составляет 34 мОм, что эффективно снижает потери на проводимость при работе с большими токами. Диапазон выдерживаемого напряжения «затвор-исток» составляет ±20 В, пороговое напряжение — не более 3 В, что обеспечивает совместимость с прямым управлением системной логикой на напряжении 3,3 В и 5 В. Общий заряд затвора составляет от 32 нК до 50 нК, что позволяет использовать транзистор в приложениях среднечастотного переключения с низкими потерями на переключение. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 27,8 Вт при идеальном отводе тепла; внутренняя конструкция прошла испытание на лавинную стойкость по стандарту UIS, что повышает устойчивость схемы к импульсным перенапряжениям. Диапазон рабочих температур перехода составляет от -55 °C до 150 °C.

    Требования к упаковке и сборке

    Корпус выполнен в формате PowerPAK 1212-8 для поверхностного монтажа без выводов с открытой металлической площадкой и имеет небольшую площадь основания 3,3 мм × 3,05 мм; большая металлическая площадка на нижней стороне усиливает теплоотвод, сдерживая повышение температуры при работе с высоким током. Уровень чувствительности к влажности — MSL1; ограничений по времени для пайки методом рефлоу после вскрытия вакуумного корпуса нет. Поставляется в стандартной катушке, совместимой с полностью автоматизированным оборудованием для установки компонентов на производственных линиях.

    Экологические стандарты и стандарты соблюдения нормативных требований

    При производстве всего компонента используется технология, исключающая использование свинца и галогенов, что соответствует общепринятым экологическим нормам. Миниатюрный корпус позволяет значительно сэкономить площадь на печатной плате, что делает его подходящим для портативных устройств и компактных модульных конструкций.

    Типичные области применения

    Схема защитного переключателя заряда и разряда аккумулятора ноутбука и планшета; многоканальное управление подачей питания и управление «горячей» заменой на встроенных материнских платах; схема генерации отрицательного напряжения и верхний каскад синхронного понижающего источника питания; управление трактом питания портативного оборудования и управление включением питания системы; блок управления прямым и обратным ходом малогабаритного двигателя и переключатель распределения питания по USB

    Компания LXB Semicon поставляет оригинальные одноканальные P-канальные силовые полевые транзисторы Vishay SI7619DN-T1-GE3