사양
FM25V10-G-TR은 인피니언의 산업용 등급 1Mbit SPI 강유전성 RAM (FRAM)으로, SPI 플래시 및 EEPROM을 직접 대체할 수 있는 고내구성 비휘발성 메모리입니다. 이 제품은 초고주파수 실시간 데이터 로깅, 충돌 안전 매개변수 저장, 리프레시 사이클 없이도 장기간 데이터를 보존해야 하는 임베디드 시스템을 위해 설계되었습니다.
FM25V10-G SOIC-8 패키지
👉 이 제품은 삭제 횟수가 한정된 슬로우-라이트 방식의 플래시/EEPROM이 아닙니다.
👉 무한 등급의 읽기/쓰기 내구성과 제로 쓰기 지연 시간을 자랑하며, 151년 동안 데이터를 저장할 수 있어, 지속적인 빈번한 데이터 쓰기가 필요한 산업용 제어, 데이터 수집 및 배터리 구동형 모니터링 단말기에 이상적입니다.
주요 핵심 기능
- 메모리 아키텍처 및 FRAM 코어
- 용량: 1Mbit (128K × 8비트), 완전한 바이트 단위 주소 지정 가능, 쓰기 전에 페이지 지우기 불필요
- 업계 최고 수준의 내구성: 100조(10¹⁴) 회 읽기/쓰기 사이클로, 플래시/EEPROM보다 수천 배 더 높음
- NoDelay™ 버스 속도 쓰기 작업: 지우기 지연이 없으며, 전원이 꺼져도 데이터가 손실되지 않도록 데이터를 즉시 저장합니다.
- 65°C에서 151년 동안 데이터 보존이 보장되며, 이는 표준 EEPROM/플래시보다 훨씬 뛰어난 성능입니다.
- 고속 SPI 직렬 인터페이스
- 최대 SPI 클럭 주파수 40MHz, SPI 모드 0 (0,0) / 모드 3 (1,1) 지원
- 랜덤 액세스 시간이 단 18ns에 불과하여, 실시간 샘플링 데이터 저장이 매우 빠릅니다.
- 표준 SPI 플래시/EEPROM과 핀 배열 및 명령어 세트가 호환되어 하드웨어를 바로 교체할 수 있음
- 다단계 쓰기 보호
- 전체 어레이 쓰기 잠금을 위한 하드웨어 WP 핀
- 소프트웨어 블록 보호: 메모리 범위의 1/4, 1/2 또는 전체를 보호
- 실수로 데이터가 덮어쓰이는 것을 방지하기 위해 일시적인 소프트웨어 잠금을 설정하는 ‘쓰기 비활성화’ 명령어를 작성하십시오.
- 제품 추적성을 위해 공장에서 사전 프로그래밍된 고유한 8바이트 일련번호 및 제조업체/기기 ID가 내장되어 있습니다.
- 저전압 및 초저전력
- 넓은 공급 전압 범위: 2.0V ~ 3.6V, 3.3V 산업용 시스템 및 2.4V 배터리 구동 시스템에 적합
- 전력 소비 지표:
- 활성 작동 전류: 300μA @ 1MHz
- 대기 전류: 90μA (대표값)
- 절전 모드 누설 전류: 단 5μA로, 현장 센서의 배터리 수명을 연장합니다.
- 포장 및 환경 사양
- 패키지: 8핀 협폭 SOIC-8 표면 실장형; 접미사 -TR은 테이프 앤 릴 대량 포장을 의미합니다.
- 산업용 광범위 온도 등급: -40°C ~ +85°C 작동 온도
- RoHS 무연 규격 준수, MSL3 수분 민감도 등급, 자동화된 SMT 대량 생산에 적합
일반적인 애플리케이션
산업용 PLC, 서보 드라이브 및 주파수 변환기 파라미터 저장
다중 채널 센서 데이터 로거, 진동 모니터링 및 환경 데이터 수집 단말기
무정전 전원 공급 장치(UPS) 고장 기록 및 운영 로그 저장
스마트 계량기, 에너지 모니터링 장비의 실시간 전력 데이터 백업
가정용 로봇, AGV 이동 로봇의 동작 상태 및 위치 저장
자동차 보조 제어 장치의 2차 데이터 비휘발성 저장 장치
휴대용 시험·측정 기기의 충돌 방지 측정 기록
의료용 휴대형 진단 장비의 중증 환자 생체 신호 저장
스마트 POS, 셀프 서비스 키오스크 거래 내역 및 설정 저장소
원격 무선 IoT 현장 센서의 장주기 빈번한 데이터 기록
LXB Semicon은 인피니언(Infineon)의 정품 FM25V10-G-TR SPI FRAM 메모리 IC를 공급합니다.
