Componentes avanzados de la memoria ISSI
DRAM y SRAM de calidad industrial y para automoción con disponibilidad a largo plazo y suministro estable
| wdt_ID | wdt_created_by | wdt_created_at | wdt_last_edited_by | wdt_last_edited_at | Referencia | Ficha de datos | Fabricante | Tipo de memoria | Densidad / Organización | Interfaz | Acceso / Velocidad | Tensión (Vcc) | Temperatura de funcionamiento | Paquete / Pins | Notas |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 744 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS42S16320F-6BLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | SDRAM (DRAM síncrona) | 512 Mbit (32 M × 16) | SDR paralelo | 166 MHz (≈5,4 ns de acceso) | 3.0 - 3.6 V | -40 °C a +85 °C | BGA-54 de 54 bolas (8×13 mm) | SDRAM de alta velocidad, modo ráfaga, compatibilidad con auto/auto-refresco | |
| 745 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | SRAM asíncrona | 8 Mbit (512 K × 16) | En paralelo | Acceso a 10 ns | 2.4 - 3.6 V | -40 °C a +85 °C | TSOP-44 (44 patillas) | SRAM totalmente estática, interfaz CE/OE, compatible con TTL | |
| Ficha de datos | Fabricante | Tipo de memoria | Densidad / Organización | Interfaz | Acceso / Velocidad | Tensión (Vcc) | Temperatura de funcionamiento | Paquete / Pins | Notas |