Samsung KLMAG1JETD-B041

Hãy gửi cho chúng tôi một tin nhắn.

    Thông số kỹ thuật

    KLMAG1JETD-B041 là chip bộ nhớ flash nhúng dung lượng 16GB do Samsung Semiconductor sản xuất, hoàn toàn tuân thủ tiêu chuẩn công nghiệp JEDEC eMMC 5.1. Sản phẩm này tích hợp mảng bộ nhớ flash NAND MLC và bộ điều khiển lưu trữ nhúng chuyên dụng trong cùng một gói, đóng vai trò là bộ nhớ lưu trữ vĩnh viễn trên bo mạch cho các thiết bị di động và thiết bị thông minh nhúng.

    Định nghĩa mã sản phẩm

    Dòng sản phẩm KLMAG thuộc dòng sản phẩm bộ nhớ flash nhúng eMMC chủ lực của Samsung. Dãy ký tự ở giữa xác định dung lượng lưu trữ hiệu dụng 16GB và cấu trúc xếp chồng chip bên trong. B041 đại diện cho phiên bản phần cứng cố định, thông số kỹ thuật điện và thông số kỹ thuật đóng gói. Nhà máy sản xuất ban đầu sử dụng phương thức đóng gói băng cuộn (tape-and-reel) theo mặc định để hỗ trợ quá trình lắp ráp SMT tự động trên bảng mạch in (PCB) cho sản xuất hàng loạt.

    Hiệu năng bộ nhớ lõi và giao diện

    Con chip này có dung lượng lưu trữ khả dụng cho người dùng là 16GB, sử dụng kiến trúc hạt flash MLC 2-bit. Sản phẩm hỗ trợ chế độ truyền tải tốc độ cao HS400 với băng thông giao diện lý thuyết tối đa lên đến 400MB/s. Tốc độ đọc tuần tự điển hình đạt 250~330MB/s, và tốc độ ghi tuần tự dao động từ 50MB/s đến 120MB/s. Bộ điều khiển tích hợp tự động thực hiện thuật toán cân bằng hao mòn, phát hiện và thay thế khối lỗi, sửa lỗi ECC phần cứng, thu gom rác và quản lý phân vùng, che chắn logic hoạt động NAND cơ bản khỏi bộ xử lý chính và giảm bớt khó khăn trong việc phát triển ở phía máy chủ. Nó hỗ trợ phân chia nhiều phân vùng, xóa dữ liệu an toàn, thao tác làm sạch và nâng cấp trực tuyến phần mềm điều khiển.

    Thiết kế nguồn điện

    Sản phẩm áp dụng cấu trúc nguồn điện kép. Mảng lõi Flash hoạt động ở điện áp 3,3V, trong khi bộ điều khiển và giao diện I/O tín hiệu hỗ trợ điện áp làm việc tùy chọn 1,8V hoặc 3,3V để tương thích với mức điện áp I/O của các SoC điều khiển chính khác nhau. Nhiều chế độ tiết kiệm năng lượng, bao gồm chế độ ngủ sâu và thông báo khi tắt nguồn, được tích hợp để giảm mức tiêu thụ điện năng trong trạng thái chờ và không hoạt động, phù hợp hoàn hảo với các thiết bị di động chạy bằng pin và các thiết bị đầu cuối IoT tiêu thụ ít năng lượng.

    Thông số kỹ thuật về bao bì và cơ khí

    Loại vỏ là vỏ FBGA (mảng lưới bóng có khoảng cách nhỏ) 153 bóng, với kích thước tổng thể 11,5 mm × 13 mm × 0,8 mm. Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL) là MSL 3, và quá trình hàn nóng chảy phải được hoàn thành trong vòng 168 giờ sau khi mở bao bì chống ẩm chân không. Bố trí bóng tiêu chuẩn đảm bảo độ tin cậy hàn ổn định trong quá trình lắp ráp PCB hàng loạt.

    Tiêu chuẩn về môi trường và tuân thủ

    Phạm vi nhiệt độ làm việc tiêu chuẩn là từ -25℃ đến +85℃, phù hợp với các thiết bị điện tử tiêu dùng và thiết bị nhúng công nghiệp thông thường. Sản phẩm được sản xuất theo quy trình không chứa chì và hoàn toàn tuân thủ các quy định bảo vệ môi trường RoHS và REACH, không chứa các chất nguy hại bị hạn chế. Bố trí mạch bên trong được tối ưu hóa giúp nâng cao khả năng chống nhiễu điện từ, đảm bảo việc đọc và ghi dữ liệu ổn định trong các môi trường mạch phức tạp.

    Các tình huống ứng dụng điển hình

    Điện thoại thông minh, máy tính bảng và các thiết bị đầu cuối thông minh Android di động có bộ nhớ hệ thống tích hợp; các bo mạch phát triển nhúng dòng RK; máy quảng cáo thương mại, màn hình hiển thị và bộ nhớ firmware cho giao diện người dùng cảm ứng công nghiệp (HMI); thiết bị thanh toán POS, thiết bị tự phục vụ, máy bán hàng tự động và bộ điều khiển chính hệ thống kiểm soát truy cập có bộ nhớ cục bộ; Smart TV, đầu thu IPTV, hệ thống giải trí trên xe hơi và bộ lưu trữ dữ liệu cho cổng IoT biên; thiết bị giám sát video đầu cuối, thiết bị NVR mini và bộ lưu trữ chương trình cùng thông số cho các thiết bị kiểm tra cầm tay

    LXB Semicon cung cấp chip nhớ flash eMMC 5.1 16GB KLMAG1JETD-B041 chính hãng của Samsung