하이엔드 VISHAY 솔루션
LXB Semicon은 엔지니어와 조달 팀을 위한 전문 유통, 품질 보장, 안정적인 글로벌 공급을 통해 프리미엄 산업용 및 자동차 등급 VISHAY 저항기, 커패시터, 전력 반도체, 센서를 제공합니다.
| wdt_ID | wdt_created_by | wdt_created_at | wdt_last_edited_by | wdt_last_edited_at | Mfr 부품 | 데이터시트 | 제조업체 | 디바이스 유형 | 주요 기능 | 전압 등급 | 전류 등급 | 주요 전기적 특성 | 패키지 | 작동 온도 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 882 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | SIC463ED-T1-GE3 | VISHAY | 동기식 벅 컨버터 | 고효율 DC-DC 스텝다운 레귤레이터 | 입력: 4.5V - 60V출력: 0.8V - 55V(조정 가능) | 출력: 최대 4A | 통합 하이사이드 및 로우사이드 MOSFET, 프로그래머블 스위칭 주파수(100kHz~2MHz), OCP/OVP/UVP 보호 기능 | PowerPAK® MLP55-27 | -40°C ~ +125°C | |
| 883 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | SI7145DP-T1-GE3 | VISHAY | P-채널 MOSFET | 전원 전환/부하 제어 | VDS: -30V | ID: -60 A | 초저 RDS(on) ≈ 2.6mΩ @ VGS=-10V, TrenchFET® 기술, 고속 스위칭 | PowerPAK® SO-8 | -55°C ~ +150°C | |
| 884 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | SI7619DN-T1-GE3 | VISHAY | P-채널 MOSFET | 전원 관리 / 하이사이드 스위치 | VDS: -30V | ID: -24 A | 낮은 RDS(on) ≈ 최대 21mΩ, 로직 레벨 게이트, 효율성에 최적화됨 | PowerPAK® 1212-8 | -55°C ~ +150°C | |
| 885 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | SI7252DP-T1-GE3 | VISHAY | 듀얼 N-채널 MOSFET | 전원 스위칭/동기 정류 | VDS: 100V | ID: 36.7A(채널당) | 단일 패키지의 듀얼 MOSFET, 낮은 RDS(on) ≈ 18mΩ @ VGS=10V, 낮은 게이트 전하 | PowerPAK® SO-8 듀얼 | -55°C ~ +150°C | |
| 886 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | VO1400AEFTR | VISHAY | 솔리드 스테이트 릴레이(SSR) | 신호 절연 및 스위칭 | 부하 전압: 0 - 60V | 부하 전류: 100mA | MOSFET 출력, 낮은 온 상태 저항(≤5Ω), 광 절연, 낮은 누설 전류 | SOP-4 | -40°C ~ +85°C | |
| 887 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | 관리자 | 17/01/2026 03:43 오후 | DG409DQ-T1-E3 | VISHAY | 아날로그 멀티플렉서 | 신호 라우팅/채널 선택 | 공급: 5V - 36V | — | 듀얼 4:1 차동 아날로그 멀티플렉서, 낮은 온 저항(~100Ω), 저전력 소비 | TSSOP-16 | -40°C ~ +85°C | |
| 제조업체 | 디바이스 유형 | 주요 기능 | 전압 등급 | 전류 등급 | 주요 전기적 특성 | 패키지 | 작동 온도 |