Spesifikasi
IS42S16320F-6BLI adalah DRAM sinkron (SDRAM) berkecepatan data tunggal (SDR) berkapasitas 512 Mbit yang diproduksi oleh ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Sufiks BLI menunjukkan perangkat SMD 54-TFBGA yang dikemas dalam tray dan dirancang untuk kelas suhu industri, yang dioptimalkan untuk penyimpanan bingkai berdensitas tinggi, pemrosesan video tertanam, serta penyimpanan data real-time industri dengan bandwidth tinggi dan efisiensi biaya.
👉 Produk ini berbeda dari SRAM asinkron (tidak memerlukan penyegaran) dan varian timing kecepatan rendah -7/-8, serta kemasan TSOP-II yang kompatibel dengan lubang pasang. Model BGA 167MHz dengan kecepatan 6ns ini menawarkan lebar bus data yang lebih luas, throughput yang lebih tinggi, dan footprint PCB yang lebih kecil, sehingga ideal untuk sistem tertanam FPGA/ARM dengan keterbatasan ruang yang membutuhkan penyimpanan buffer volatil berkapasitas besar.
Fitur Utama
- Arsitektur Memori & Waktu Respons Berkecepatan Tinggi
- Kapasitas total: 512 Mbit, disusun dalam bentuk bus data berlebar 32 M × 16 bit
- Frekuensi jam nominal: 167 MHz, waktu latensi CAS 6 ns (CL=3)
- Desain sepenuhnya sinkron, semua sinyal kontrol/alamat diambil sampelnya pada tepi naik sinyal jam
- 4 bank memori internal independen untuk akses berselang-seling guna mengurangi latensi pra-pengisian baris masker
- Pilihan panjang burst yang dapat diprogram: 1, 2, 4, 8, atau mode burst sekuensial/tercampur satu halaman penuh
- Perpindahan alamat kolom acak per siklus jam untuk akses data streaming yang efisien (ISSI)
- Fungsi Inti SDRAM Standar
- Tingkat sinyal masukan/keluaran yang kompatibel dengan LVTTL untuk koneksi langsung ke MCU/FPGA
- Mekanisme penyegaran ganda: Penyegaran CBR otomatis dan mode penyegaran mandiri hemat daya
- Siklus penyegaran 8K wajib dalam jendela retensi data 64 ms
- Latensi CAS yang dapat diprogram (2 / 3 siklus jam) untuk desain papan sirkuit yang fleksibel
- Mendukung perintah pembacaan-penulisan beruntun, pembacaan beruntun-penulisan tunggal, dan penghentian beruntun
- Karakteristik Listrik & Daya Rendah
- Tegangan suplai operasi VDD/VDDQ: 3,0 V ~ 3,6 V (standar industri nominal 3,3 V)
- Arus operasi aktif tipikal: ~120 mA; kebocoran arus yang sangat rendah dalam mode penyegaran otomatis untuk penghematan daya saat tidak aktif
- Pin daya/ground yang didistribusikan untuk menekan gangguan crosstalk frekuensi tinggi
- Proses CMOS 0,18 µm yang telah dioptimalkan mengurangi konsumsi daya dibandingkan dengan silikon generasi B/D yang lebih lama
- Keandalan Kemasan & Industri
- Kemasan: TF-BGA 54-ball (kontur ringkas 8 mm × 13 mm), hanya untuk pemasangan permukaan pada SDRAM x16
- Kelas suhu: Rentang industri -40°C ~ +85°C (akhiran LI = Industri)
- Tingkat sensitivitas kelembapan MSL 3 (masa simpan di lantai 168 jam), bebas timbal, dan sepenuhnya sesuai dengan RoHS3
- Kemasan massal dalam baki (kode akhir I), varian TR dengan kemasan pita dan gulungan tersedia untuk lini produksi massal
Aplikasi Khas
Buffer bingkai LCD HMI industri dan memori video layar sentuh tertanam
Buffer baris gambar untuk visi mesin berbasis FPGA dan penyimpanan data piksel berkecepatan tinggi
Perekam data multikanal berkecepatan tinggi, osiloskop, dan alat ukur pengujian
Buffer dekoder audio/video media digital untuk terminal multimedia industri
Cache paket tumpukan protokol gateway serial-Ethernet jaringan
Memori sementara untuk data pengambilan sampel secara real-time dari peralatan diagnostik medis
Kamera pintar dan sistem pemrosesan penglihatan industri berbiaya rendah
Grafik dasbor sistem infotainment otomotif & buffer aliran audio
Cache data besar untuk lintasan gerak mesin perkakas CNC
Pendidikan: Perluasan RAM eksternal berkapasitas tinggi pada komputer papan tunggal FPGA/ARM
LXB Semicon menyediakan IC memori SDRAM asli ISSI IS42S16320F-6BLI berkapasitas 512 Mbit, frekuensi 167 MHz, dan lebar bit 16
