MPM3630GQV-Z

Hãy gửi cho chúng tôi một tin nhắn.

    Thông số kỹ thuật

    MPM3630GQV-Z là mô-đun nguồn DC-DC hạ áp đồng bộ tích hợp hoàn toàn do MPS (Hệ thống nguồn nguyên khối). Sản phẩm này tích hợp bộ điều khiển, các MOSFET công suất, cuộn cảm công suất và các tụ điện đầu vào/đầu ra vào một gói QFN nhỏ gọn duy nhất, giúp loại bỏ hầu hết các linh kiện rời ngoại vi, từ đó đơn giản hóa tối đa thiết kế nguồn điện MPS.

    Định nghĩa hậu tố

    • MPM3630: Mẫu sản phẩm mô-đun buck tích hợp cốt lõi
    • GQV: Phiên bản vỏ QFN-20
    • -Z: Đóng gói số lượng lớn SMT tự động theo tiêu chuẩn dạng băng và cuộn; hậu tố -P là viết tắt của “đóng gói dạng khay”

    1. Các thông số điện chính

    Thông số kỹ thuật đầu vào

    • Dải điện áp đầu vào rộng: 4,5 V ~ 18 V DC
    • Tích hợp chức năng bảo vệ ngắt nguồn khi điện áp thấp (UVLO) để tránh tình trạng khởi động không ổn định khi điện áp đầu vào thấp

    Thông số kỹ thuật đầu ra

    • Dòng điện đầu ra tối đa liên tục: 3 A
    • Dải điện áp đầu ra có thể điều chỉnh: 0,6 V ~ 16,2 V (được thiết lập thông qua các điện trở chia tín hiệu phản hồi bên ngoài)
    • Tần số chuyển mạch nội bộ cố định: 1,4 MHz, hỗ trợ đồng bộ hóa với tần số đồng hồ bên ngoài trong khoảng 1~2 MHz
    • Chế độ tiết kiệm năng lượng tự động khi tải nhẹ nhằm giảm mức tiêu thụ điện năng ở chế độ chờ
    • Chân chỉ báo ngõ ra mở (open-drain) Power Good (PG), báo hiệu điện áp đầu ra ổn định cho MCU chính

    Hiệu suất của thiết bị công suất

    • Điện trở dẫn của MOSFET bên cao/thấp bên trong: 22 mΩ / 50 mΩ, hiệu suất chuyển đổi đỉnh lên đến 95%
    • Khả năng điều chỉnh điện áp đường dây và điều chỉnh tải tuyệt vời, phản ứng nhanh với các biến động đột ngột của dòng điện tải

    2. Hệ thống bảo vệ toàn diện tích hợp sẵn

    1. OCP – Bảo vệ quá dòng: Chế độ tự phục hồi Hiccup khi xảy ra ngắn mạch ở đầu ra, không gây hư hỏng vĩnh viễn cho thiết bị
    2. TSD - Hệ thống bảo vệ ngắt nguồn do quá nhiệt: Tự động tắt máy khi chip quá nhiệt, tự động khởi động lại sau khi làm mát
    3. Chức năng ngắt nguồn khi điện áp đầu vào quá thấp (UVLO)
    4. Bảo vệ hạn chế quá áp đầu ra

    3. Thông tin về bao bì và cơ khí

    • Loại vỏ: QFN-20 gắn bề mặt có miếng tiếp xúc lộ ra ngoài
    • Kích thước: 3,0 mm × 5,0 mm × 1,6 mm kích thước cực nhỏ
    • Miếng tản nhiệt lộ ra ngoài giúp tăng cường khả năng tản nhiệt khi hoạt động ở mức tải tối đa 3A
    • Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: MSL3 (thời gian bảo quản trên sàn 168 giờ sau khi mở túi trước khi hàn nóng chảy)

    4. Môi trường và Tuân thủ

    • Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -40 ℃ ~ +125 ℃
    • Tuân thủ hoàn toàn tiêu chuẩn RoHS về không chứa chì, không chứa halogen
    • Phù hợp với việc bố trí mạch in (PCB) mật độ cao và phần cứng nhúng có không gian hạn chế

    5. Các tình huống ứng dụng điển hình

    • Bảng điều khiển công nghiệp, PLC, bộ nguồn phụ trợ servo đa kênh tại điểm tải (POL)
    • Đường cấp nguồn cho lõi FPGA/ARM MCU và mạch ngoại vi (1,0 V/1,8 V/3,3 V/5 V)
    • Thiết bị chẩn đoán hình ảnh y tế, thiết bị chẩn đoán cầm tay, bộ chuyển đổi nguồn nhỏ gọn
    • Cổng viễn thông, hệ thống cấp nguồn cho bảng mạch phân tán của thiết bị chuyển mạch mạng
    • Các nút cảm biến không dây IoT, thiết bị nhà thông minh đang thay thế các bộ điều chỉnh tuyến tính LDO truyền thống
    • Thiết bị đo lường và kiểm tra cầm tay, nguồn điện phụ cho máy tính một bo mạch nhúng

    LXB Semicon cung cấp mô-đun nguồn hạ áp đầu vào 18V, dòng 3A, tích hợp hoàn toàn MPS MPM3630GQV-Z chính hãng