Thông số kỹ thuật
IS61WV51216BLL-10TLI là bộ nhớ tĩnh CMOS không đồng bộ (SRAM) tốc độ cao do ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) sản xuất. Sản phẩm có cấu trúc 512K × 16-bit (tổng cộng 8Mbit), thời gian truy cập nhanh 10ns, dải điện áp nguồn rộng từ 2,4V đến 3,6V và đạt tiêu chuẩn nhiệt độ công nghiệp, được sử dụng rộng rãi làm bộ nhớ đệm tốc độ cao cho các vi điều khiển nhúng (MCU), mạch tích hợp lập trình được (FPGA), thiết bị điều khiển công nghiệp và thiết bị thử nghiệm.
Chip IS61WV51216BLL-10TLI TSOP-II
👉 Sản phẩm này khác với phiên bản IS61WV51216ALL điện áp thấp (1,65V~2,2V) và các biến thể đóng gói miniBGA. Phiên bản gắn bề mặt TSOP-II này hỗ trợ các hệ thống công nghiệp tiêu chuẩn 3,3V, điều khiển byte trên/dưới độc lập và chế độ chờ tiết kiệm năng lượng, lý tưởng cho các thiết kế bộ đệm khung hình tốc độ cao và bộ nhớ đệm dữ liệu thời gian thực nhạy cảm về chi phí mà không có gánh nặng làm mới đồng hồ.
Tính năng chính
- Thông số kỹ thuật về lõi bộ nhớ và thời gian
- Dung lượng: 8 Mbit, 512 K từ × bus dữ liệu rộng 16 bit (19 đường địa chỉ)
- Thời gian chu kỳ truy cập/ghi: 10 ns khi VDD = 3,3 V; có phiên bản tốc độ nhanh hơn 8 ns (tùy chọn)
- Kiến trúc hoàn toàn tĩnh: Không cần tín hiệu đồng hồ hay thao tác làm mới định kỳ
- Các chân UB (byte trên) / LB (byte dưới) độc lập dành cho thao tác đọc/ghi theo từng byte
- Tất cả các mức tín hiệu đầu vào/đầu ra đều tương thích với TTL, đảm bảo kết nối liền mạch với các khối IO của MCU/FPGA
- Đặc tính điện và đặc tính công suất thấp
- Dải điện áp nguồn hoạt động: 2,4 V ~ 3,6 V (điện áp danh định 3,3 V theo tiêu chuẩn công nghiệp)
- Dòng điện hoạt động điển hình ICC: 95mA; dòng rò ở chế độ chờ giảm xuống mức microamp nhờ chế độ tắt nguồn CE#
- Nhiều chân VDD/VSS trung tâm được phân bố trên vỏ gói để giảm nhiễu chéo và nâng cao khả năng chống nhiễu
- Dữ liệu được lưu giữ ổn định ở mức điện áp dự phòng thấp để tránh mất dữ liệu trong trường hợp điện áp dao động tạm thời
- Kiểm soát mở rộng hệ thống linh hoạt
- Các tín hiệu điều khiển độc lập: Kích hoạt chip (CE#), Kích hoạt đầu ra (OE#) và Kích hoạt ghi (WE#)
- Hỗ trợ xếp chồng nhiều chip theo kiểu nối tiếp (daisy-chain) thông qua CE# để dễ dàng mở rộng dung lượng bộ nhớ
- Giao diện song song đơn giản, không có các ràng buộc về thời gian phức tạp, tương thích với các bộ điều khiển bộ nhớ không đồng bộ thông dụng
- Độ tin cậy của bao bì và công nghiệp
- Gói: SMD TSOP loại II thân hẹp 44 chân (rộng 10,16 mm)
- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: Công nghiệp -40°C ~ +85°C
- Cấp độ nhạy cảm với độ ẩm MSL 3, không chứa chì và tuân thủ đầy đủ các quy định của RoHS
- Hậu tố TLI là viết tắt của “đóng gói dạng khay” dành cho sản xuất SMT với khối lượng trung bình; hậu tố TR dành cho sản xuất hàng loạt theo phương thức băng và cuộn
Ứng dụng điển hình
Bộ đệm khung hình tốc độ cao dành cho màn hình cảm ứng HMI công nghiệp và bảng hiển thị nhúng
Bộ nhớ đệm dữ liệu bên ngoài cho FPGA/MCU ARM nhằm xử lý tín hiệu thời gian thực
Máy phân tích logic, máy hiện sóng và các thiết bị đo lường di động
Thiết bị ghi dữ liệu đa kênh tốc độ cao và thiết bị giám sát rung động
Bộ đệm điều khiển chuyển động và bộ lưu trữ dữ liệu vị trí cho máy công cụ CNC
Lưu trữ tạm thời dữ liệu lấy mẫu tốc độ cao của thiết bị chẩn đoán y tế
Bộ điều khiển điện tử phụ trợ (ECU) trong ngành ô tô có bộ nhớ làm việc tốc độ cao không được làm mới
Bộ đệm chụp nhanh IO tốc độ cao và bộ đệm ghi lại lỗi cho PLC công nghiệp
Bộ đệm dòng cho mô-đun thu nhận hình ảnh dành cho các camera thị giác máy tính giá rẻ
Bộ lưu trữ dữ liệu tạm thời của ngăn xếp giao thức thiết bị truyền thông
LXB Semicon cung cấp chip bộ nhớ SRAM không đồng bộ 10ns 8Mbit ISSI IS61WV51216BLL-10TLI chính hãng
