Thông số kỹ thuật
IRF4905STRLPBF là MOSFET công suất kênh P HEXFET® gắn bề mặt của Infineon, được đóng gói trong vỏ TO-263 (D2PAK); hậu tố STRLPBF là viết tắt của “tape-and-reel lead-free bulk packaging” (đóng gói số lượng lớn không chì dạng băng và cuộn) dành cho sản xuất hàng loạt SMT tự động. Sản phẩm này mang lại tổn thất dẫn điện cực thấp, khả năng chịu dòng điện cao và độ bền hoàn toàn trước hiện tượng tuyết lở, được sử dụng rộng rãi trong các mạch chuyển mạch công suất dòng điện cao, bảo vệ ngược cực pin và các mạch quản lý nguồn công nghiệp.
👉 Sản phẩm này khác với chip IRF4905PBF đóng gói theo kiểu lỗ xuyên (through-hole) TO-220. Phiên bản SMD D2PAK này có khả năng tản nhiệt vượt trội trên các miếng đồng trên bảng mạch in (PCB), kích thước nhỏ gọn phù hợp với các bảng mạch nguồn mật độ cao, và được tối ưu hóa cho các hệ thống chuyển mạch DC công suất cao có không gian hạn chế.
Tính năng chính
- Thông số kỹ thuật điện chính
- Loại kênh: MOSFET công suất HEXFET kênh P đơn
- VDS (Điện áp giữa cực thoát và cực nguồn): Tối đa -55V
- Dòng rò liên tục ID: -74A (Tc=25°C)
- RDS(on) cực thấp: Tối đa 20 mΩ tại VGS = -20 V, giúp giảm thiểu tổn thất nhiệt do hiệu ứng I²R
- Công suất tiêu tán tối đa (PD): 200W ở nhiệt độ vỏ máy 25°C
- Dải điện áp cổng: ±20V (giá trị tối đa tuyệt đối); điện áp ngưỡng VGS(th): -2V ~ -4V
- Thiết kế đạt tiêu chuẩn chống sét lan truyền hoàn toàn, chịu được các đợt tăng áp đột ngột do tải cảm ứng gây ra mà không bị hư hỏng
- Thông số chuyển mạch nhanh và điện dung
- Độ trễ bật: 20 ns; Độ trễ tắt: 51 ns
- Tổng điện tích cổng Qg: 180 nC, tốc độ chuyển mạch cân bằng cho các cấu trúc chuyển mạch cứng/mềm
- Điện dung đầu vào/đầu ra thấp giúp giảm mức tiêu thụ điện năng của mạch điều khiển cổng trong điều khiển PWM tần số cao
- Hiệu suất nhiệt và môi trường
- Nhiệt độ hoạt động tối đa tại điểm nối Tj: 175°C, dải nhiệt độ hoạt động công nghiệp rộng
- Phạm vi hoạt động: -55°C ~ +175°C
- Miếng tản nhiệt lớn D2PAK giúp tản nhiệt hiệu quả thông qua diện tích đồng trên bảng mạch in (PCB)
- Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS về không chứa chì và không chứa halogen, đáp ứng các tiêu chuẩn điện tử xanh toàn cầu
- Thông số kỹ thuật về đóng gói và lắp ráp
- Gói: TO-263 3 chân (D2PAK) gắn bề mặt
- Hậu tố STRLPBF = bao bì không chứa chì dạng băng và cuộn dành cho lắp ráp SMT số lượng lớn
- Độ dẫn nhiệt thấp giữa chip và miếng tản nhiệt hở, đảm bảo hoạt động liên tục ở dòng điện cao
Ứng dụng điển hình
Chức năng bảo vệ chống đảo cực nguồn pin cho thiết bị công nghiệp, xe tự hành (AGV) và các thiết bị cầm tay
Công tắc nguồn tải dòng điện cao dành cho bảng phân phối điện một chiều 12V/24V/48V
Bộ chuyển đổi buck-boost đồng bộ, mạch quản lý sạc và xả pin
Công tắc nguồn điều khiển động cơ dành cho các động cơ BLDC cỡ nhỏ, quạt và máy bơm
Các mô-đun điều khiển nguồn điện phụ trợ ô tô, hệ thống âm thanh ô tô và bộ điều khiển đèn
Bộ điều khiển nguồn điện mặt trời công suất nhỏ, mạch lưu trữ năng lượng với chức năng ngắt nguồn phía dưới
Chuyển mạch đường dẫn DC của bộ nguồn liên tục (UPS)
Bảo vệ mạch nguồn phụ cho PLC công nghiệp và bộ điều khiển servo
Thiết bị hàn di động, mô-đun chuyển mạch dòng điện cao trên bàn thử nghiệm
LXB Semicon cung cấp MOSFET công suất kênh P IRF4905STRLPBF chính hãng của Infineon
