المواصفات
NCP81074ADR2G هو مشغل بوابة MOSFET أحادي القناة عالي السرعة من النوع «لو ساييد» (low-side)، من إنتاج شركة أونسيمي (onsemi)، ويتميز بتيار تشغيل قوي في كل من اتجاهي «السحب» و«التغذية» لتسريع عملية التبديل في ترانزستورات MOSFET للطاقة وتقليل خسائر التبديل في أنظمة تحويل الطاقة.
شرح اللاحقة
- NCP81074A: نموذج محرك أساسي مزود بعتبة إدخال ثابتة متوافقة مع TTL
- DR2G: حزمة التثبيت السطحي SOIC-8، تغليف بالجملة على شكل شريط وبكرة
- الكمية القياسية للبكرة هي 2500 قطعة لكل بكرة للتجميع الآلي بتقنية SMT
1. المواصفات الكهربائية الأساسية
نطاق جهد الإمداد
- جهد الدخل التشغيلي لمحول الجهد المتغير (VCC): 4.5 فولت ~ 20 فولت
- نظام قفل الجهد المنخفض (UVLO) المدمج لمنع التشغيل غير المستقر في حالة عدم كفاية جهد الإمداد
قدرات محرك الأقراص وأداء التوقيت
- التيار الأقصى الناتج من المصدر والمصرف: 10 أمبير لكل منهما
- يوفر تيارًا نموذجيًا قدره 7 أمبير خلال مرحلة هضبة ميلر في ترانزستور MOSFET من أجل كبح تأثير ميلر
- تتيح دبابيس الإخراج المنفصلة ضبط معدل التغير عند التشغيل والإيقاف بشكل مستقل عبر مقاومات خارجية
- تأخير الانتشار النموذجي لعمليات التشغيل والإيقاف: 15 نانوثانية
- زمن الصعود وزمن الهبوط النموذجيان مع حمل سعوي قدره 1.8 نانوفاراد: 4 نانوثانية
- يدعم المدخل كل من المنطق العاكس وغير العاكس، وهو متوافق مع مستويات إشارات TTL وCMOS
- تيار التغذية الساكن النموذجي في ظروف التشغيل العادية: 1.2 مللي أمبير
2. ميزات الحماية المدمجة
- تفعيل حماية قفل انخفاض الجهد المدخل لتجنب ظهور إشارات تشغيل خاطئة للبوابة عند انخفاض جهد الإمداد
- تصميم مقاوم لظاهرة «لاتش-أب» لمقاومة التداخل الكهربائي العابر
- آلية الحماية من ارتفاع درجة الحرارة لحماية رقاقة المحرك في ظروف التشغيل القاسية
3. معلومات حول العبوة والخصائص الميكانيكية
- نوع الغلاف: غلاف SOIC ذو 8 سنون للتركيب السطحي
- الأبعاد الإجمالية: 5.0 مم × 4.0 مم × 1.5 مم (السماكة القصوى)
- مستوى الحساسية للرطوبة: MSL 1، لا توجد قيود زمنية إلزامية على عملية اللحام بإعادة التدفق بعد فتح العبوة
- يضمن التصميم الرئيسي على شكل جناح النورس ثبات عملية اللحام على نقاط التوصيل في لوحات الدوائر المطبوعة
4. المعايير البيئية ومعايير الامتثال
- نطاق درجة حرارة التشغيل: -40 ℃ ~ +140 ℃
- تصميم خالٍ من الرصاص والهالوجين، ومتوافق تمامًا مع لوائح RoHS وREACH
- لا يحمل شهادة AEC-Q100 الخاصة بقطاع السيارات، وهو مصمم للاستخدامات غير المتعلقة بقطاع السيارات في المجالات الصناعية والاتصالات ومراكز البيانات
5. سيناريوهات الاستخدام النموذجية
محرك المقوم المتزامن للجانب الثانوي في وحدات الطاقة المعزولة ومصادر طاقة الخوادم؛ دوائر تشغيل أنابيب الطاقة ذات الجانب السفلي لمحولات التيار المستمر إلى التيار المستمر (DC-DC) من النوع «باك» و«بوست»؛ دوائر مساعدة للتحكم في المحركات الصناعية ذات المحركات ذات المغناطيس الدائم (BLDC) وتشغيل المرحلات؛ وحدات الطاقة الموزعة لمعدات الاتصالات ومحولات الشبكات ومراكز البيانات؛ محولات الطاقة ذات التبديل عالي التردد ولوحات التحكم في شواحن البطاريات
تقوم شركة LXB Semicon بتوريد دارة متكاملة أصلية من شركة onsemi من طراز NCP81074ADR2G، وهي دارة تشغيل بوابة لموسفيت (MOSFET) من الجانب السفلي عالي السرعة بقدرة 10 أمبير
