Komponen Memori ISSI Tingkat Lanjut
DRAM & SRAM Kelas Industri dan Otomotif dengan Ketersediaan Jangka Panjang dan Pasokan yang Stabil
| wdt_ID | wdt_created_by | wdt_created_at | wdt_last_diedited_by | wdt_terakhir_diedit_pada | Bagian Mfr | Lembar data | Produsen | Jenis Memori | Kepadatan / Organisasi | Antarmuka | Akses / Kecepatan | Tegangan (Vcc) | Suhu Pengoperasian | Paket / Pin | Catatan |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 744 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS42S16320F-6BLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | SDRAM (DRAM Sinkron) | 512 Mbit (32 M × 16) | SDR paralel | 166 MHz (≈5,4 ns akses) | 3.0 - 3.6 V | -40 °C hingga +85 °C | BGA-54 bola 54 (8×13 mm) | SDRAM berkecepatan tinggi, mode burst, dukungan penyegaran otomatis/mandiri | |
| 745 | admin | 17/01/2026 03:47 AM | admin | 17/01/2026 03:47 AM | IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | SRAM asinkron | 8 Mbit (512 K × 16) | Paralel | Akses 10 ns | 2.4 - 3.6 V | -40 °C hingga +85 °C | TSOP-44 (44 pin) | SRAM yang sepenuhnya statis, antarmuka CE/OE, kompatibel dengan TTL | |
| Lembar data | Produsen | Jenis Memori | Kepadatan / Organisasi | Antarmuka | Akses / Kecepatan | Tegangan (Vcc) | Suhu Pengoperasian | Paket / Pin | Catatan |