Samsung Electronics notific\u00f3 oficialmente a sus clientes del sector de almacenamiento que aumentar\u00e1 el precio de los productos DRAM de uso general hasta un 20% en el tercer trimestre de 2026, con un incremento a\u00fan mayor para los chips de memoria m\u00f3vil LPDDR. Mientras tanto, la capacidad de la fundici\u00f3n de obleas avanzadas de 4 nm de Samsung para todo el a\u00f1o 2026 ya se ha reservado por completo, y los nuevos pedidos solo pueden programarse para 2027, con la capacidad de producci\u00f3n asignada preferentemente a los clientes de GPU de IA y chips aceleradores de IA.<\/p>\n
Gracias al crecimiento explosivo de los centros de datos de IA a nivel mundial, la demanda de DRAM para servidores, memoria HBM de alto ancho de banda y memoria NOR Flash para el almacenamiento de firmware ha seguido dispar\u00e1ndose. SK Hynix y Micron tambi\u00e9n siguen los pasos de Samsung y ajustan al alza los precios de los productos de almacenamiento, mientras que el plazo de entrega de la memoria NAND SLC de grado industrial y la memoria Flash NOR para veh\u00edculos se ha extendido a entre 18 y 32 semanas. Los distribuidores extranjeros acaparan lotes de productos de almacenamiento clave en el mercado al contado, lo que provoca frecuentes fluctuaciones de precios en el mercado abierto.<\/p>\n
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