{"id":10329,"date":"2026-01-15T15:18:53","date_gmt":"2026-01-15T07:18:53","guid":{"rendered":"https:\/\/www.lxbchip.com\/?page_id=10329"},"modified":"2026-04-09T02:28:34","modified_gmt":"2026-04-08T18:28:34","slug":"vishay","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.lxbchip.com\/es\/manufacturers\/vishay\/","title":{"rendered":"VISHAY"},"content":{"rendered":"
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Soluciones VISHAY de gama alta<\/h2>\n\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t
LXB Semicon suministra resistencias, condensadores, semiconductores de potencia y sensores VISHAY de calidad industrial y de automoci\u00f3n con distribuci\u00f3n profesional, calidad garantizada y suministro global fiable para ingenieros y equipos de compras.<\/div>\n\t\t\t\n\t\t\t\n\t\t<\/div>\n\t\t\n\t\t<\/div><\/div><\/div><\/div>\n

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Referencia<\/td>\nFicha de datos<\/td>\nFabricante<\/td>\nTipo de dispositivo<\/td>\nFunci\u00f3n principal<\/td>\nTensi\u00f3n nominal<\/td>\nClasificaci\u00f3n actual<\/td>\nPrincipales caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas<\/td>\nPaquete<\/td>\nTemperatura de funcionamiento<\/td>\n<\/tr>\n
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SIC463ED-T1-GE3<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nConvertidor Buck s\u00edncrono<\/td>\nRegulador reductor CC-CC de alta eficiencia<\/td>\nEntrada: 4,5 V - 60 VOSalida: 0,8 V - 55 V (ajustable)<\/td>\nSalida: hasta 4 A<\/td>\nMOSFET de lado alto y bajo integrados, frecuencia de conmutaci\u00f3n programable (100 kHz-2 MHz), protecci\u00f3n OCP\/OVP\/UVP<\/td>\nPowerPAK\u00ae MLP55-27<\/td>\n-40 \u00b0C a +125 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
SI7145DP-T1-GE3<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nMOSFET de canal P<\/td>\nConmutaci\u00f3n de potencia \/ control de carga<\/td>\nVDS: -30 V<\/td>\nID: -60 A<\/td>\nRDS(on) ultrabajo \u2248 2,6 m\u03a9 @ VGS=-10 V, tecnolog\u00eda TrenchFET\u00ae, conmutaci\u00f3n r\u00e1pida.<\/td>\nPowerPAK\u00ae SO-8<\/td>\n-55 \u00b0C a +150 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
SI7619DN-T1-GE3<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nMOSFET de canal P<\/td>\nGesti\u00f3n de energ\u00eda \/ interruptor de lado alto<\/td>\nVDS: -30 V<\/td>\nID: -24 A<\/td>\nRDS(on) bajo \u2248 21 m\u03a9 m\u00e1x, puerta de nivel l\u00f3gico, optimizada para la eficiencia.<\/td>\nPowerPAK\u00ae 1212-8<\/td>\n-55 \u00b0C a +150 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
SI7252DP-T1-GE3<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nMOSFET de doble canal N<\/td>\nConmutaci\u00f3n de potencia \/ rectificaci\u00f3n s\u00edncrona<\/td>\nVDS: 100 V<\/td>\nID: 36,7 A (por canal)<\/td>\nMOSFET doble en un solo encapsulado, bajo RDS(on) \u2248 18 m\u03a9 @ VGS=10 V, baja carga de puerta.<\/td>\nPowerPAK\u00ae SO-8 Dual<\/td>\n-55 \u00b0C a +150 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
VO1400AEFTR<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nRel\u00e9 de estado s\u00f3lido (SSR)<\/td>\nAislamiento y conmutaci\u00f3n de se\u00f1ales<\/td>\nTensi\u00f3n de carga: 0 - 60 V<\/td>\nCorriente de carga: 100 mA<\/td>\nSalida MOSFET, baja resistencia de estado activado (\u22645 \u03a9), aislamiento \u00f3ptico, baja corriente de fuga.<\/td>\nSOP-4<\/td>\n-40 \u00b0C a +85 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n
DG409DQ-T1-E3<\/td>\n<\/td>\nVISHAY<\/td>\nMultiplexor anal\u00f3gico<\/td>\nEnrutamiento de se\u00f1ales \/ selecci\u00f3n de canales<\/td>\nAlimentaci\u00f3n: 5 V - 36 V<\/td>\n\u2014<\/td>\nMultiplexor anal\u00f3gico diferencial dual 4:1, baja resistencia ON (~100 \u03a9), bajo consumo de energ\u00eda<\/td>\nTSSOP-16<\/td>\n-40 \u00b0C a +85 \u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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